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Les eaux usées provenant de la fabrication de semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) et en nitrure de gallium (GaN) proviennent principalement des étapes de croissance épitaxiale, de gravure, d’implantation ionique, de dépôt de couches minces, de meulage et de nettoyage des wafers, ainsi que des rinçages des salles propres. Par rapport aux eaux usées issues de la fabrication conventionnelle de semi-conducteurs en silicium, les eaux usées des semi-conducteurs de troisième génération présentent une composition nettement plus complexe et sont sensiblement plus difficiles à traiter.
Les contaminants typiques comprennent le fluorure, des concentrations élevées d’acides et de bases, des particules ultrafines de carbure de silicium, des composés de gallium, des nitrures, des ions de métaux lourds en traces, ainsi que de faibles quantités de contaminants organiques tels que les résidus de photorésist et les produits chimiques de décapage, ce qui entraîne des variations des niveaux de DCO.
Les eaux usées se caractérisent par des flux alternés fortement acides et alcalins, des concentrations élevées de fluorure, des matières en suspension ultrafines et des propriétés hautement corrosives. Les particules colloïdales stables se déposent très lentement, ce qui accroît le risque d’encrassement des canalisations et de colmatage des membranes. En outre, la fabrication de semi-conducteurs à large bande interdite exige de l’eau recyclée d’une pureté extrême, dont les normes de qualité sont nettement plus strictes que celles applicables au traitement conventionnel des eaux usées industrielles.
Les fabricants de semi-conducteurs SiC et GaN font couramment face à plusieurs défis liés au traitement des eaux usées.
Les particules ultrafines de SiC et de GaN sont difficiles à éliminer par sédimentation conventionnelle, ce qui entraîne une accumulation de boues, un colmatage des équipements, un encrassement fréquent des membranes et des arrêts de production coûteux. Les eaux usées riches en fluorure générées lors des procédés de gravure sont difficiles à traiter de façon constante, rendant le respect des normes environnementales de rejet de plus en plus strictes particulièrement difficile.
Le procédé de production génère également des effluents acides et alcalins alternés, fortement corrosifs, nécessitant des équipements spécialisés résistants à la corrosion plutôt que des systèmes industriels standards. Parallèlement, les fabricants de semi-conducteurs exigent des taux de récupération d’eau ultrapure extrêmement élevés, tandis que les technologies conventionnelles de traitement ne parviennent souvent pas à atteindre la qualité requise de l’eau, ce qui conduit à une consommation excessive d’eau douce et à des coûts d’exploitation accrus.
En outre, les usines modernes de semi-conducteurs disposent généralement d’un espace d’installation limité et de lignes de production en constante évolution, ce qui rend difficile l’extension ou la modernisation des installations classiques de traitement à grande échelle. Par conséquent, la demande croissante porte sur des systèmes compacts, modulaires et entièrement personnalisés de traitement des eaux usées, spécifiquement conçus pour la fabrication de semi-conducteurs de haute précision.
Pour traiter les eaux usées contenant une forte teneur en fluorure, des particules ultrafines et des propriétés corrosives issues de la production de SiC et de GaN, nous utilisons une procédure dédiée composée des étapes suivantes :
Collecte séparée → Ajustement précis du pH et désactivation des colloïdes → Coagulation et élimination du fluorure → Filtration fine → Purification membranaire avancée → Réutilisation d’eau ultrapure
Les effluents acides, alcalins, contenant du fluorure et les eaux usées issues des procédés sont collectés et homogénéisés séparément afin de minimiser les fluctuations hydrauliques et qualitatives. Un contrôle précis du pH permet de déstabiliser les particules colloïdales, tandis qu’un système optimisé de coagulation et de décantation élimine efficacement les matières en suspension ainsi que la majeure partie du fluorure.
L'adsorption par charbon actif et la filtration de précision éliminent les composés organiques en traces et les contaminants métalliques résiduels. L'eau traitée traverse ensuite un système d'ultrafiltration (UF), puis un système d'osmose inverse (RO) anti-encrassement pour une désalinisation approfondie, produisant une eau de haute pureté adaptée au nettoyage des wafers et à d'autres procédés de fabrication de semi-conducteurs.
Les équipements principaux comprennent :
Cette solution est spécifiquement conçue pour la fabrication de semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) et en nitrure de gallium (GaN) de troisième génération, répondant efficacement à trois défis industriels critiques : l'élimination des particules ultrafines, le contrôle du fluorure et la résistance à la corrosion.
L’eau traitée répond systématiquement aux exigences de réutilisation en production ainsi qu’aux normes environnementales de rejet. Des équipements sur mesure, non standardisés, peuvent être conçus pour s’adapter aux agencements compacts d’usines et aux environnements opérationnels fortement corrosifs, avec des structures renforcées anti-corrosion, des canaux d’écoulement anti-obstruction et des conceptions modulaires compactes adaptées aux installations semi-conductrices.
Tous les systèmes électriques de commande principaux, les équipements mécaniques et les composants de traitement de l'eau sont fabriqués conformément aux normes internationalement reconnues CE, UL et ISO, garantissant ainsi une sécurité supérieure, une fiabilité accrue et une conformité réglementaire optimale pour les applications semi-conductrices haut de gamme.
Le système offre une excellente résistance aux fluctuations de la qualité de l’eau, réduisant considérablement l’encrassement des membranes, la fréquence de maintenance et les temps d’arrêt opérationnels. Les taux de réutilisation de l’eau peuvent dépasser 95 %, ce qui réduit sensiblement la consommation d’eau douce et les coûts opérationnels globaux.
Sa conception modulaire et économique en espace permet une extension flexible de la capacité, tandis qu’un contrôle intelligent entièrement automatisé garantit un fonctionnement stable pour une fabrication continue et hautement précise de semi-conducteurs.
Nous avons livré avec succès des systèmes de traitement des eaux usées pour des installations de fabrication de wafers semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) et en nitrure de gallium (GaN), y compris une usine de production de semi-conducteurs à large bande interdite de référence, dotée d’une capacité de traitement de 900 m³/jour.
Le système a fonctionné de manière fiable, éliminant efficacement l’accumulation de particules, stabilisant l’élimination des fluorures et produisant systématiquement de l’eau recyclée conforme aux exigences de réutilisation d’eau ultrapure pour les semi-conducteurs.
Les documents justificatifs comprennent :
Nous fournissons des solutions clés en main EPC complètes de traitement des eaux usées destinées aux fabricants de semi-conducteurs de troisième génération, couvrant l’étude de site, l’analyse de la qualité de l’eau, l’ingénierie de procédés sur mesure, la fabrication d’équipements non standard, l’installation, la mise en service, les services d’exploitation et de maintenance, les mises à niveau du système ainsi que la fourniture à vie des consommables.